О кафедре:

Общая информация

Курсы

Сведения для поступающих

Персоналии:

Сотрудники

Выпускники

Студенты

Реквизиты:

Контакты В ТПУ

Контакты В ИСЭ



Основное:

Основной задачей кафедры является обеспечение потребности в высококвалифицированных специалистах в первую очередь институтов и организаций Томского научного центра СО РАН, технико-внедренческой зоны г. Томска. Потребность в наших выпускниках испытывают также научно-исследовательские институты Российских ядерных центров (Арзамас, Саров, Снежинск).

Подготовка магистров ведется под непосредственным руководством опытных специалистов, являющихся ведущими учеными в области физики плазмы, импульсной энергетики и формирования плотных потоков корпускулярного и электромагнитного излучений рентгеновского, оптического и СВЧ диапазонов.

Магистры-выпускники кафедры сильноточной электроники способны решать задачи в области разработки не имеющих аналогов мощных источников импульсных излучений военного и гражданского применений, новейших технологических установок пучковой модификации материалов, получения наноразмерных порошков, а также в области проведения связанных с этим научных исследований.

Как поступить

в магистратуру кафедры Сильноточной электроники

Кафедра производит набор по направлению 210100 – ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (квалификация – «Магистр техники и технологии») по двум магистерским программам: 550702 – «Микроволновая электроника» и 550706 – «Физическая электроника».

План набора магистров на места, финансируемые из государственного бюджета, составляет ежегодно 10 человек.

Приемная комиссия начинает работу с 20 июня.

Желающие стать нашими студентами должны представить в приемную комиссию следующие документы:
1. диплом о присвоении квалификации «Бакалавр техники и технологии», выданный в ТПУ или другом вузе из списка,
2. заявление [application.doc (51 kB)] о допуске к вступительным испытаниям.


webmaster@hced.tsc.ru